1、注意要加熱環(huán)狀部位的右側,進(jìn)行熱浴。
2、熔點(diǎn)管要干凈,管壁要薄。
3、測量時(shí)將b型管裝滿(mǎn)管中的環(huán)狀部分,過(guò)多的話(huà)液體沸騰會(huì )溢出。液體可裝液體石蠟等。
4、當所用溫度計浸入傳溫液在6cm以上時(shí),管長(cháng)應適當增加,使露出液面3cm以上,輕擊管壁或借助長(cháng)短適宜的潔凈玻璃管,垂直放在表面皿或其他適宜的硬質(zhì)物體上,將毛細管自上口放入使自由落下,反復數次,使粉末緊密集結在毛細管的熔封端。
擴展資料:
熔點(diǎn)測定法:
1、測定易粉碎的固體藥品:
取供試品適量,研成細粉,除另有規定外,應按照各藥品項下干燥失重的條件進(jìn)行干燥。若該藥品為不檢查干燥失重、熔點(diǎn)范圍低限在135℃以上、受熱不分解的供試品,可采用105℃干燥;熔點(diǎn)在135℃以下或受熱分解的供試品,可在五氧化二磷干燥器中干燥過(guò)夜或用其他適宜的干燥方法干燥。
2、測定不易粉碎的固體藥品:
取供試品,注意用盡可能低的溫度熔融后,吸入兩端開(kāi)口的毛細管(同第一法,但管端不熔封)中,使高達約10mm。在10℃或10℃以下的冷處靜置24小時(shí),或置冰上放冷不少于2小時(shí),凝固后用橡皮圈將毛細管緊縛在溫度計上,使毛細管的內容物部分適在溫度計汞球中部。
3、測定凡士林或其他類(lèi)似物質(zhì):
取供試品適量,緩緩攪拌并加熱至溫度達90~92℃時(shí),放入一平底耐熱容器中,使供試品厚度達到12mm±1mm,放冷至較規定的熔點(diǎn)上限高8~10℃;取刻度為0.2℃、水銀球長(cháng)18~28mm、直徑5~6mm的溫度計,使冷至5℃后,擦干并小心地將溫度計汞球部垂直插入。
參考資料來(lái)源:百度百科-熔點(diǎn)測定法
熔點(diǎn)的測定實(shí)驗中,b形管的注意事項: 1、熔點(diǎn)管要干凈,管壁要薄。
2、測量時(shí)將b型管裝滿(mǎn)管中的環(huán)狀部分,過(guò)多的話(huà)液體沸騰會(huì )溢出。液體可裝液體石蠟等。
3、注意要加熱環(huán)狀部位的右側,進(jìn)行熱浴。 4、當所用溫度計浸入傳溫液在6cm以上時(shí),管長(cháng)應適當增加,使露出液面3cm以上,輕擊管壁或借助長(cháng)短適宜的潔凈玻璃管,垂直放在表面皿或其他適宜的硬質(zhì)物體上,將毛細管自上口放入使自由落下,反復數次,使粉末緊密集結在毛細管的熔封端。
擴展資料: 熔點(diǎn)測試流程: 1、樣品的干燥和研磨; 2、裝樣(把兩頭封閉長(cháng)度約10~12cm的熔點(diǎn)管中間割裂,開(kāi)口的一端插入樣品粉末中,裝樣約高3~4mm,倒轉填緊后,樣高2~3mm); 3、把裝樣品的毛細管附于溫度計上(樣品部分在水銀球中部); 4、放入熱浴(溫度計水銀球在熱浴中部,水銀球不能碰瓶底也不能離開(kāi)熱浴液面); 粗測熔點(diǎn),粗測時(shí)升溫可稍快,一般每分鐘4~5℃,直至樣品熔化,記下此時(shí)溫度計讀數,供精確測定熔點(diǎn)時(shí)參考; 5、加熱、控溫(開(kāi)始升溫可快,當溫度接近粗側熔點(diǎn)15℃時(shí),控制升溫速度1~2℃/min); 6、觀(guān)察熔點(diǎn)(始熔:固體收縮,當樣品開(kāi)始塌落并出現液相時(shí),即為始熔;全熔:固體完全消失而成透明的液體時(shí),即為全熔); 7、記錄結果(熔點(diǎn)范圍,即始熔至全熔溫度); 8、要有二次以上重復的數據(通常不取平均值),第二次要用新裝樣品的熔點(diǎn)管,浴溫要低于熔點(diǎn)20℃以上才放入。 參考資料來(lái)源:百度百科-b型管 參考資料來(lái)源:百度百科-熔點(diǎn)測定法 參考資料來(lái)源:百度百科-熔點(diǎn)測定。
就我個(gè)人的經(jīng)驗,從來(lái)沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)要求。
使用b型管的注意事項是溫度計應該置于兩個(gè)支管口之間,也即是處于熱回流之中。
毛細管的樣品部分只要和溫度計水銀球平齊即可。就是說(shuō)要注意的是Y軸位移,而不用在意X軸位移。
當然,為了觀(guān)察方便,一般將它貼在遠離支管的一側或者靠近支管的一側。
這個(gè)鏈接里有圖可以看看:
工程可以說(shuō)是非常關(guān)鍵的,因為這樣的波紋管所發(fā)揮的作用主要是為了將壓力轉換為位移力等。如今市面上有著(zhù)不同材質(zhì)的預應力波紋管,包括了金屬材質(zhì)和塑料材質(zhì)。整體靈敏度高,并且擁有了十分出色的性能指標。
這幾年不斷有商家開(kāi)始引進(jìn)這類(lèi)管材,進(jìn)而使得預應力波紋管安裝基本注意事項,引起了大家的高度關(guān)注。下面我們就簡(jiǎn)單的為各位消費者群體和商家們介紹一下,關(guān)于預應力波紋管安裝的基本注意事項,讓大家在整個(gè)安裝過(guò)程當中都可以更加正確和順暢。
第一、在波紋管道進(jìn)行地溝埋設的時(shí)候,必須要按照規定的設計要求,以及符合標準的施工步驟進(jìn)行操作。并且擺放一定要盡可能平直,如果溝底存在不平的現象,可以鋪上細沙將其鋪墊平整。不僅如此,在進(jìn)行埋管之前還應該清除溝內當中的各類(lèi)硬質(zhì)物,這樣可以避免后期使用過(guò)程當中,因為硬物質(zhì)導致波紋管的變形。
第二、在預應力波紋管安裝施工過(guò)程當中,每根預應力波紋管都可能存在長(cháng)度不一樣的情況。這個(gè)時(shí)候,就需要根據實(shí)際環(huán)境所需要的長(cháng)度,進(jìn)而再測量好管材的準確長(cháng)度之后鋸斷。在鋸斷的時(shí)候,一定要注意切口的平整度,這樣才能在連接的時(shí)候擁有更好的密封性。
第三、對于預應力波紋管安裝鋪設第一段的時(shí)候,盡可能不要先填土。用穿纜器試試,可以順利穿孔之后才能繼續進(jìn)行下面的管材鋪設工程,這樣更利于后期鋪設。
第四、在預應力波紋管安裝鋪設好之后,一定要先使用細土或是細將其覆蓋到符合標準的高度。切記不能讓波紋管材處于一種懸空的狀態(tài)。除此之外,如果外力導致了管線(xiàn)或是其他存在一定的損壞現象。這個(gè)時(shí)候在接孔的地方使用水泥將其包覆,這樣才能進(jìn)一步確保使用安全。
第五、在波紋管安裝完畢后,相關(guān)工作人員應該盡快將波紋管上的各種輔助定位構件以及相關(guān)緊固件進(jìn)行拆除。并且需要按照規定的設計要求,進(jìn)而將限位裝置調到符合要求的位置,這樣一來(lái),才能夠幫助管材在環(huán)境條件下發(fā)揮更好的補償能力。
以上幾點(diǎn)就是我們針對預應力波紋管安裝,作出的簡(jiǎn)單分析介紹。希望可以幫助大家更深入的了解這類(lèi)管材的鋪設以及安裝,從而作出最正確的操作步驟和安裝手法,使得后期使用起來(lái)更加順暢。
MOS場(chǎng)效應管 即金屬-氧化物-半導體型場(chǎng)效應管,英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。
其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管,符號如圖1所示。
通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。
所謂增強型是指:當VGS=0時(shí)管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VGS后,多數載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區域的載流子,形成導電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時(shí)即形成溝道,加上正確的VGS時(shí),能使多數載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。
以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通,二者總保持等電位。
圖1(a)符號中的前頭方向是從外向電,表示從P型材料(襯底)指身N型溝道。當漏接電源正極,源極接電源負極并使VGS=0時(shí),溝道電流(即漏極電流)ID=0。
隨著(zhù)VGS逐漸升高,受柵極正電壓的吸引,在兩個(gè)擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子,形成從漏極到源極的N型溝道,當VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN(一般約為+2V)時(shí),N溝道管開(kāi)始導通,形成漏極電流ID。 國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均為單柵管),4DO1(雙柵管)。
它們的管腳排列(底視圖)見(jiàn)圖2。 MOS場(chǎng)效應管比較“嬌氣”。
這是由于它的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。因此了廠(chǎng)時(shí)各管腳都絞合在一起,或裝在金屬箔內,使G極與S極呈等電位,防止積累靜電荷。
管子不用時(shí),全部引線(xiàn)也應短接。在測量時(shí)應格外小心,并采取相應的防靜電感措施。
下面介紹檢測方法。 1.準備工作 測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。
最好在手腕上接一條導線(xiàn)與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開(kāi),然后拆掉導線(xiàn)。
2.判定電極 將萬(wàn)用表?yè)苡赗*100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大,證明此腳就是柵極G。
交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一次,黑表筆接的為D極,紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,S極與管殼接通,據此很容易確定S極。
3.檢查放大能力(跨導) 將G極懸空,黑表筆接D極,紅表筆接S極,然后用手指觸摸G極,表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場(chǎng)效應管有兩個(gè)柵極G1、G2。
為區分之,可用手分別觸摸G1、G2極,其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。 目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管,平時(shí)就不需要把各管腳短路了。
VMOS場(chǎng)效應管 VMOS場(chǎng)效應管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。
它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動(dòng)電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數可達數千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知,傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結構特點(diǎn):第一,金屬柵極采用V型槽結構;第二,具有垂直導電性。
由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重摻雜N+區(源極S)出發(fā),經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區,最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,因為流通截面積增大,所以能通過(guò)大電流。
由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應管。 國內生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應管的主要廠(chǎng)家有877廠(chǎng)、天津半導體器件四廠(chǎng)、杭州電子管廠(chǎng)等,典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。
表1列出六種VMOS管的主要參數。其中,IRFPC50的外型如圖3所示。
下面介紹檢測VMOS管的方法。 1.判定柵極G 將萬(wàn)用表?yè)苤罵*1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。
若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。 2.判定源極S、漏極D 由圖1可見(jiàn),在源-漏之間有一個(gè)PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。
用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。 3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on) 將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R*1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R*1檔實(shí)測一只。
1、從試管底部套入,夾在距試管口三分之一處或中上部。
2、夾完以后,手立即放到長(cháng)柄處,拇指不要按在短柄上。
3、取下時(shí),一樣從上往下拿,始終不接觸管口。
4、加熱試管時(shí)需不停地振蕩試管,使受熱均勻。
5、防止腐蝕燒灼,手握長(cháng)柄,大拇指按在長(cháng)柄上。(注意:大拇指不能按在短柄上)
基本參數:試管夾長(cháng)度不小于180mm,寬度20mm,厚度10mm。試管夾閉口縫不大于1mm,最大開(kāi)口距不小于25mm。閉口時(shí)兩塊夾片相合無(wú)明顯不齊。試管夾所附氈塊應粘接牢固,不得脫落。
擴展資料
試管的使用注意事項:
1、裝溶液時(shí)不超過(guò)試管容量的1/2,加熱時(shí)不超過(guò)試管容量的1/3。
2、用滴管往試管內滴加液體時(shí)應懸空滴加,不得伸入試管口。
3、取塊狀固體要用鑷子夾取放至試管口,然后慢慢豎起試管使固體滑入試管底,不能使固體直接墜入,防止試管底破裂。
4、加熱使用試管夾,試管口不能對著(zhù)人。加熱盛有固體的試管時(shí),管口稍向下,加熱液體時(shí)傾斜約45°。
5、受熱要均勻,以免暴沸或試管炸裂。
6、加熱后不能驟冷,防止破裂。
參考資料來(lái)源:搜狗百科——試管夾
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