cmp研磨材料(拋光的CMP是指什么?)
1.拋光的CMP是指什么?
CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光。
CMP技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。 CMP技術的概念是1965年由Monsanto首次提出。
該技術最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠鏡等。1988年IBM開始將CMP技術運用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術在世界各地迅速發(fā)展起來。
區(qū)別于傳統(tǒng)的純機械或純化學的拋光方法，CMP通過化學的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。 它利用了磨損中的"軟磨硬"原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。
CMP拋光液是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品，廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。 。
2.微電子領域的cmp是什么意思?
計算機：Chip multiprocessors，單芯片多處理器，也指多核心
電子：Chemical Mechanical Planarization，化學機械平坦化
綜合布線：Plenum Cable，天花板隔層電纜
計算機：
CMP是由美國斯坦福大學提出的，其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與CMP比較， SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進入0.18微米以后，線延時已經(jīng)超過了門延遲，要求微處理器的設計通過劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來進行。相比之下，由于CMP結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個處理器核來設計，每個核都比較簡單，有利于優(yōu)化設計，因此更有發(fā)展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP結(jié)構(gòu)。多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存，提高緩存利用率，同時簡化多處理器系統(tǒng)設計的復雜度。
電子
化學機械平坦化 （英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又稱化學機械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半導體器件制造工藝中的一種技術，使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。
3.高速鋼圓鋸片怎么研磨才好用
益德隆高速鋼鋸片廠家教你怎么研磨高速鋼圓鋸片才好用？ （一）首先就是清洗，需要配合正確的清洗液。
（二）進行鋼板的平整度的測試與修復。 （三）檢查刀頭，查看是否崩齒、掉齒，磨損的程度與刀頭是否打彎。
然后進行刀頭的修復，磨損嚴重的只能更換了。 （四）放入調(diào)試好參數(shù)的全自動研磨機進行自動修復了。
然而，機器的預先調(diào)試就需要注意砂輪的選擇。砂輪的選擇是注意砂輪的力度，進刀速度跟時間。
（五）對鋸片的檢查。然后進行包裝，加上包管。
在這里智欣行刀具給大家的建議是，盡量不要選擇手工修磨。 手工修磨，每次的進刀量是難以控制，精度不精準，最致命地導致每個刀頭不再同一圓內(nèi)，影響產(chǎn)品的切面效果，增加劃痕，有毛刺，影響下一道工序，直接導致企業(yè)生產(chǎn)效率低下。
另外，正因為是手工操作，削磨量很容易過重，導致原本能修磨10次的鋁合金門窗鋸片只能磨3-5次，降低鋸片的使用壽命，進而使企業(yè)生產(chǎn)成本增加。 高速鋼圓鋸片研磨后的效果分析 圓鋸片研磨后效果分析也是比較關鍵的一步，根據(jù)實用情況我們可以判斷，研磨后品質(zhì)如何，研磨前后的對比，并是否達到用戶理想效果，這一步至關重要。
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