模電flash(flash學(xué)習知識點(diǎn))
1.flash學(xué)習知識點(diǎn)
以下知識點(diǎn)涵蓋了FLASH的入門(mén)和中級所要掌握的知識點(diǎn)，最后兩點(diǎn)在設計方面尤為重要，引導和遮罩。（軟件ADOBE FLASH） 幀幀動(dòng)畫(huà)是什么？幀幀動(dòng)畫(huà)又成為逐幀動(dòng)畫(huà)，它是動(dòng)畫(huà)基本形式，在需要細致表現對象運動(dòng)效果的時(shí)候可以采用幀幀動(dòng)畫(huà)的形 式。幀幀動(dòng)畫(huà)每一幀都有不同的內容。大家知道，在Falsh中關(guān)鍵幀將影響發(fā)布的作品的體積，關(guān)鍵幀越多，作品的體積越大。因此在實(shí)際使用中，大家應根據 作品表現內容的需要合理使用幀幀動(dòng)畫(huà)和補間動(dòng)畫(huà)。
什么是補間動(dòng)畫(huà)？所謂補間動(dòng)畫(huà)又叫做中間幀動(dòng)畫(huà)，漸變動(dòng)畫(huà)，只要建立起始和結束的畫(huà)面，中間部分由軟件自動(dòng)生成，省去了中間動(dòng)畫(huà)制作的復雜過(guò)程，這正是Flash的迷人之處，補間動(dòng)畫(huà)是Flash中最常用的動(dòng)畫(huà)效果。
什么是形狀補間？形狀補間又叫做形狀漸變，適用的對象為圖形，形狀補間可以實(shí)現移動(dòng)、縮放、旋轉、填充漸變色、對象加速，減速，變形等效果。形狀補間起止對象都必須是圖形（形狀）Flash軟件工具箱中工具繪制的圖都是圖形，可以直接制作形狀補間。
什么是動(dòng)作補間？動(dòng)作補間又叫運動(dòng)漸變，適用對象是元件。動(dòng)作補間可以實(shí)現位置移動(dòng)、大小變化、顏色變化、透明度變化，明暗、色調變化等效果。動(dòng)作補間起止對象都必須是元件。
區分圖形和元件的方法是什么？選擇黑箭頭工具，點(diǎn)擊場(chǎng)景中的元素，如果是呈麻點(diǎn)狀的元素是圖形，呈現藍色邊框狀的是元件或者是組合的圖形。元素不是圖形時(shí)，如果要使用形狀補間，可以使用打散（分離）命令。元素不是元件時(shí)，如果要使用動(dòng)作補間，可以使用組合或者轉換成元件命令。
引導線(xiàn)使用的方法引導線(xiàn)實(shí)際上是建立在引導層上的給出運動(dòng)的軌跡。首先要注意引導層應在運動(dòng)層上面并啟用“對齊對象”工具，在引導線(xiàn)的起始位置注意注冊點(diǎn)的對齊（吸附）
遮罩層的使用方法遮罩層應位于被遮罩層的上方，遮罩層中元素的形狀是我們看到下面一層的畫(huà)面的形狀。這里要注意區別，在很多Flash 作品中為了遮擋住工作區中不希望顯示在場(chǎng)景中的動(dòng)畫(huà)和元素，大家通常使用遮片，遮片通常是建立一圖層，繪制一個(gè)大于場(chǎng)景的圖形，中間留出空隙來(lái)顯示下面的 圖層，遮片位于所有圖層的最上方，是一個(gè)普通層，而遮罩層只位于被遮罩層上方，是一個(gè)特殊層。
2.Nand flash基本知識
nand flash 原理簡(jiǎn)介【轉】 Fisrt part :NAND flash和NOR flash的不同 NOR flash采用位讀寫(xiě)，因為它具有sram的接口，有足夠的引腳來(lái)尋址，可以很容易的存取其內部的每一個(gè)字節。
NAND flash使用復雜的I/O口來(lái)穿行地存取數據。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數據信息。
NAND的讀和寫(xiě)單位為512Byte的頁(yè)，擦寫(xiě)單位為32頁(yè)的塊。● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作。 ● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅動(dòng)程序，也就是內存技術(shù)驅動(dòng)程序（MTD）,NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。---------摘抄自網(wǎng)上流傳很廣的《NAND 和 NOR flash的區別》 Second part:NAND Flash結構與驅動(dòng)分析 一、NAND flash的物理組成NAND Flash 的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)cell 中只能存儲一個(gè)bit。
這些cell 以8個(gè)或者16個(gè)為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會(huì )再組成Page,(NAND Flash 有多種結構，我使用的NAND Flash 是K9F1208，下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁(yè)528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)），每32個(gè)page形成一個(gè)Block(32*528B)。
具體一片flash上有多少個(gè)Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個(gè)block，故總容量為4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用來(lái)保存ECC校驗碼等額外數據的，故實(shí)際中可使用的為64MB。
NAND flash以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數據，而以塊為單位擦除數據。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類(lèi)地址： Column Address:Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位Page Address ：頁(yè)地址Block Address ：塊地址對于NAND Flash來(lái)講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數據寬度是8位。
二、NAND Flash地址的表示512byte需要9bit來(lái)表示，對于528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的訪(fǎng)問(wèn)由地址指針命令來(lái)選擇，A[7:0]就是所謂的column address（列地址），在進(jìn)行擦除操作時(shí)不需要它，why？因為以塊為單位擦除。32個(gè)page需要5bit來(lái)表示，占用A[13:9]，即該page在塊內的相對地址。
A8這一位地址被用來(lái)設置512byte的1st half page還是2nd half page,0表示1st,1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit來(lái)表示。
例如64MB(512Mb)的NAND flash（實(shí)際中由于存在spare area，故都大于這個(gè)值），共4096block，因此，需要12個(gè)bit來(lái)表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，則block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示為： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須采用移位的方式進(jìn)行。 例如，對于512Mbit x8的NAND flash，地址范圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個(gè)范圍內的數值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 為例：第1 步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個(gè)halfpage 上進(jìn)行讀寫(xiě)，而真正的A8 的值是不需程序員關(guān)心的。 第2 步就是將NAND_ADDR 右移9位，將NAND_ADDR[16:9]傳到I/O[7:0]上；第3 步將NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；第4步需要將NAND_ADDR[25]放到I/O上；因此，整個(gè)地址傳遞過(guò)程需要4 步才能完成，即4-step addressing。
如果NAND Flash 的容量是32MB(256Mbit)以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此尋址只需要3步。 下面，就x16 的NAND flash 器件稍微進(jìn)行一下說(shuō)明。
由于一個(gè)page 的main area 的容量為256word，仍相當于512byte。但是，這個(gè)時(shí)候沒(méi)有所謂的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就變得沒(méi)有意義了，也就是這個(gè)時(shí)候 A8 完全不用管，地址傳遞仍然和x8 器件相同。
除了，這一點(diǎn)之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。 三、NAND flash驅動(dòng)解讀以前由于做移植多一些，那些工作很簡(jiǎn)單（現在看來(lái)），從來(lái)都不用去關(guān)心驅動(dòng)里面到底怎么實(shí)現的，這幾次面試才發(fā)現真的是學(xué)的太淺了，似乎我還在學(xué)習仰泳而那些牛人基本都屬于潛水級的了，潛的不知有多深。
我對照著(zhù)開(kāi)發(fā)板所帶的NAND flash驅動(dòng)和k9f1208的芯片資料把這些代碼通讀了一遍，終于明白了NAND flash的讀寫(xiě)過(guò)程是如何實(shí)現的了。我所參考的驅動(dòng)是mizi公司為三星芯片所寫(xiě)的，我看看了，大概和官方2.4.18內核的nand.c差不多。
在s3c2410處理器中有專(zhuān)門(mén)的NAND flash控制器，他們位于SFR區，具體可以參看s3c2410用戶(hù)手冊。以下的這些代碼均可以在vivi或者kernel里面找到，文中會(huì )標明程序出自何處。
在vivi中，有關(guān)。
3.模擬電路基礎知識
原發(fā)布者：zhanghefangha
第1章電路的基礎知識1.1電路和電路模型1.2電路中的主要物理量1.3電路的基本元件1.4基爾霍夫定律1.5基爾霍夫定律1.6簡(jiǎn)單電阻電路的分析方法第1章電路的基礎知識本章要求：本章要求：1.理解電壓與電流參考方向的意義；1.理解電壓與電流參考方向的意義；理解電壓與電流參考方向的意義2.理解電路的基本定律并能正確應用；理解電路的基本定律并能正確應用；3.了解電路的有載工作、開(kāi)路與短路狀態(tài)，了解電路的有載工作、開(kāi)路與短路狀態(tài)，理解電功率和額定值的意義；理解電功率和額定值的意義；4.會(huì )計算電路中各點(diǎn)的電位。會(huì )計算電路中各點(diǎn)的電位。1.1電路和電路模型電路是電流的通路，電路是電流的通路，是為了某種需要由電工設備或電路元件按一定方式組合而成。或電路元件按一定方式組合而成。1.電路的作用（1）實(shí)現電能的傳輸、分配與轉換實(shí)現電能的傳輸、發(fā)電機升壓變壓器輸電線(xiàn)降壓變壓器電燈電動(dòng)機電爐。（2）實(shí)現信號的傳遞與處理（2）實(shí)現信號的傳遞與處理話(huà)筒揚聲器放大器2.電路的組成部分電路的組成部分電源：電源提供電能的裝置升壓變壓器輸電線(xiàn)負載：負載取用電能的裝置電燈電動(dòng)機電爐。發(fā)電機降壓變壓器中間環(huán)節：傳遞、中間環(huán)節：傳遞、分配和控制電能的作用2.電路的組成部分2.電路的電路的組成部分信號源：信號源提供信息信號處理：信號處理：放大、調諧、放大、調諧、檢波等話(huà)
4.flash制作需要哪方面的基礎
要做那樣的網(wǎng)站很簡(jiǎn)單`
第一`你要會(huì )做flash動(dòng)作``就是幀動(dòng)作`
當然可以用as來(lái)做但這個(gè)比較復雜``還是用幀做比較好
做成影片剪輯 然后 你還要會(huì )簡(jiǎn)單的AS代碼``比如說(shuō)按鈕的聯(lián)接``點(diǎn)擊按鈕轉到指定的影片
其它的就沒(méi)什么了
哎喲````還不夠啊`
說(shuō)實(shí)話(huà)``做flash網(wǎng)站好看`
但如果你不懂基本的as 那還是不行`
as 是控制按鈕``圖效等等的程序``
如果你只是做出影片動(dòng)作`但你還得用東西來(lái)控制``還要實(shí)現跳轉`
所以說(shuō)``要做flash網(wǎng)站``基本的東西除了影片動(dòng)作`還要簡(jiǎn)單的as
個(gè)人覺(jué)的不需要c++也能做出那樣的網(wǎng)站！
5.模擬電路基礎知識是什么
模電就是處理模擬電子信號的東西（連續變化的電子信號，就像溫度的連續變化一樣），其實(shí)說(shuō)全面點(diǎn)，模電包括“低頻電子”和“高頻電子”，普通電子專(zhuān)業(yè)的模電教材是低頻的，而高頻有專(zhuān)門(mén)的教材。
初學(xué)者先學(xué)低頻吧。
這個(gè)知識就太多了，因為信號是很復雜的，用到的東西當然多了。
其實(shí)放大就是模電里很核心的一塊內容的，不要單純地去理解“放大”，要按照用途來(lái)理解，比如阻抗變換等等。. 其實(shí)對于初學(xué)者，能把二極管、三極管的原理與電路弄清楚就OK了，再適當地接觸下電容和電感，把它們的典型電路和原理弄清楚了，模電就學(xué)成了。
6.模電,模擬電子技術(shù)基礎
第一章 半導體二極管一.半導體的基礎知識1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅Si、鍺Ge）。
2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。
4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統稱(chēng)為載流子。5.雜質(zhì)半導體----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。
體現的是半導體的摻雜特性。 *P型半導體： 在本征半導體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。
*N型半導體： 在本征半導體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質(zhì)半導體的特性 *載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。
*體電阻---通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱(chēng)為體電阻。 *轉型---通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。
7. PN結 * PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。 * PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。
8. PN結的伏安特性二. 半導體二極管 *單向導電性------正向導通，反向截止。 *二極管伏安特性----同PN結。
*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。 *死區電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。
3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低： 若 V陽(yáng) >V陰（ 正偏 ），二極管導通（短路）； 若 V陽(yáng) <V陰（ 反偏 ），二極管截止（開(kāi)路）。1）圖解分析法該式與伏安特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。
2） 等效電路法? 直流等效電路法*總的解題手段----將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低： 若 V陽(yáng) >V陰（ 正偏 ），二極管導通（短路）； 若 V陽(yáng) <V陰（ 反偏 ），二極管截止（開(kāi)路）。*三種模型? 微變等效電路法三. 穩壓二極管及其穩壓電路*穩壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結的反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。
第二章 三極管及其基本放大電路1.類(lèi)型---分為NPN和PNP兩種。2.特點(diǎn)---基區很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區摻雜濃度很高，與基區接觸 面積較小；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。
二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)。
7.模擬電路基礎知識是什么
模電就是處理模擬電子信號的東西（連續變化的電子信號，就像溫度的連續變化一樣），其實(shí)說(shuō)全面點(diǎn)，模電包括“低頻電子”和“高頻電子”，普通電子專(zhuān)業(yè)的模電教材是低頻的，而高頻有專(zhuān)門(mén)的教材。
初學(xué)者先學(xué)低頻吧。
這個(gè)知識就太多了，因為信號是很復雜的，用到的東西當然多了。
其實(shí)放大就是模電里很核心的一塊內容的，不要單純地去理解“放大”，要按照用途來(lái)理解，比如阻抗變換等等。. 其實(shí)對于初學(xué)者，能把二極管、三極管的原理與電路弄清楚就OK了，再適當地接觸下電容和電感，把它們的典型電路和原理弄清楚了，模電就學(xué)成了。
