ddr3介紹(求助：內存基本知識：DDRDDR2DDR3?)
1.求助：內存基本知識：DDR DDR2 DDR3 ?
什么是DDR1有時(shí)候大家將老的存儲技術(shù) DDR 稱(chēng)為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區分。
盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。DDR1規格DDR-200: DDR-SDRAM 記憶芯片在100 MHz下運行 DDR-266: DDR-SDRAM DDR2.2G記憶芯片在133 MHz下運行 DDR-333: DDR-SDRAM 記憶芯片在166 MHz下運行 DDR-400: DDR-SDRAM 記憶芯片在200 MHz下運行（JEDEC制定的DDR最高規格） DDR-500: DDR-SDRAM 記憶芯片在250 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格） DDR-600: DDR-SDRAM 記憶芯片在300 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格） DDR-700: DDR-SDRAM 記憶芯片在350 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格）什么是 DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 內存的第二代產(chǎn)品。
它在 DDR 內存技術(shù)的基礎上加以改進(jìn)，從而其傳輸速度更快（可達 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會(huì )） DDR2內存的頻率進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內存技術(shù)標準，它與上一代DDR內存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據預讀取）。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數據，并且能夠以?xún)炔靠刂瓶偩€(xiàn)4倍的速度運行。
DDR3與DDR2的比較DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 ：1.突發(fā)長(cháng)度（Burst Length,BL）由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length,BL）也固定為8 DDR3，而對于DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數據突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
2.尋址時(shí)序（Timing）就像DDR2從DDR轉變而來(lái)后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間，而DDR3則在5~11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。
DDR2時(shí)AL的范圍是0~4，而DDR3時(shí)AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
其中 DDR2 的頻率對照表如右圖所示。3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準備了一個(gè)引腳。
DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。
當Reset命令有效時(shí)，DDR3內存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關(guān)閉內在的大部分功能，所有數據接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線(xiàn)上的任何動(dòng)靜。
這樣一來(lái)，將使DDR3達到最節省電力的目的。4.DDR3新增ZQ校準功能ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。
這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗數據輸出驅動(dòng)器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發(fā)出這一指令后，將用相應的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準。
參考電壓分成兩個(gè)在DDR3系統中，對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個(gè)信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數據總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統數據總線(xiàn)的信噪等級。點(diǎn)對點(diǎn)連接（Point-to-Point,P2P）這是為了提高系統性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區別。
DDR3雙列直插內存模塊“背面”的測試點(diǎn)在DDR3系統中，一個(gè)內存控制器只與一個(gè)內存通道打交道，而且這個(gè)內存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)（Point-to-two-Point,P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據總線(xiàn)的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。
目前Intel預計在明年第二季所推。
2.什么是DDR3
DDR3是顯存！DDR3顯存，可以看作是DDR2的改進(jìn)版，二者有很多相同之處，例如采用1。
8V標準電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過(guò)DDR3核心有所改進(jìn)：DDR3顯存采用0。
11微米生產(chǎn)工藝，耗電量較DDR2明顯降低。 此外，DDR3顯存采用了“Pseudo Open Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。
當然，顯存顆粒較長(cháng)的延遲時(shí)間（CAS latency）一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。 客觀(guān)地說(shuō)，DDR3相對于DDR2在技術(shù)上并無(wú)突飛猛進(jìn)的進(jìn)步，但DDR3的性能優(yōu)勢仍比較明顯： 1）功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。
（2）工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時(shí)間較長(cháng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。 （3）降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。
而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。
（4）通用性好：相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠(chǎng)商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。 現在明白了？。
3.常見(jiàn)內存型號基礎知識是什么
DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步固態(tài)隨機處理器
嚴格的說(shuō)DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱(chēng)為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDRSDRAM，就認為是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用 SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內存廠(chǎng)商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現DDR內存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
什么是DDR1?
有時(shí)候大家將老的存儲技術(shù)DDR稱(chēng)為DDR1，使之與DDR2加以區分。盡管一般是使用“DDR”，但DDR1與DDR的含義相同。
DDR1規格
DDR-200:DDR-SDRAM記憶芯片在100MHz下運行DDR-266:DDR-SDRAM記憶芯片在133MHz下運行DDR- 333:DDR-SDRAM記憶芯片在166MHz下運行DDR-400:DDR-SDRAM記憶芯片在200MHz下運行（JEDEC制定的DDR最高 規格）DDR-500:DDR-SDRAM記憶芯片在250MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格）DDR-600:DDR-SDRAM記憶芯片在 300MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格）DDR-700:DDR-SDRAM記憶芯片在350MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
什么是DDR2?
DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會(huì )）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內存技術(shù)標準， 它與上一代DDR內存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR 內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數據，并且能夠以?xún)炔靠刂瓶偩€(xiàn)4倍的速度運 行。
此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝 可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個(gè)人電腦的 DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規辦法提高內存的工 作速度；隨著(zhù)Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線(xiàn)對內存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
什么是DDR3?
DDR3是針對Intel新型芯片的一代內存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時(shí)間較長(cháng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為16MX32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規格 多為32MX32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存 功耗也能進(jìn)一步降低。
(4)通用性好：相對于DDR變 更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠(chǎng)商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
小提示：大家通過(guò)閱讀以上為大家詳細介紹的常見(jiàn)內存型號基礎知識，對于電腦內存是不是有了個(gè)深刻的理解了呢！希望能夠幫助到大家學(xué)習到更多關(guān)于電腦基礎知識！
4.介紹一下有關(guān)DDR3的內存
針對Windows Vista的新一代內存技術(shù)（目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： （1）功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。
（2）工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時(shí)間較長(cháng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。 （3）降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。
而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。
（4）通用性好：相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠(chǎng)商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。 一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計： DDR3 1.8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2.采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線(xiàn)的負擔。 3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
二、DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 ： 1.突發(fā)長(cháng)度（Burst Length,BL） 由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length,BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數據突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
2.尋址時(shí)序（Timing） 就像DDR2從DDR轉變而來(lái)后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間，而DDR3則在5~11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。
DDR2時(shí)AL的范圍是0~4，而DDR3時(shí)AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現了。
這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當Reset命令有效時(shí)，DDR3內存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關(guān)閉內在的大部分功能，所有數據接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線(xiàn)上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能 ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗數據輸出驅動(dòng)器導通電阻與ODT的終結電阻值。
當系統發(fā)出這一指令后，將用相應的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準。 5.參考電壓分成兩個(gè) 在DDR3系統中，對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個(gè)信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數據總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統數據總線(xiàn)的信噪等級。
6.點(diǎn)對點(diǎn)連接（Point-to-Point,P2P） 這是為了提高系統性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區別。在DDR3系統中，一個(gè)內存控制器只與一個(gè)內存通道打交道，而且這個(gè)內存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)（Point-to-two-Point,P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據總線(xiàn)的負載。
而在內存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。 面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。
在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake）。
5.DDR3到底怎樣
在眾多電腦配件中，內存雖然被視為三大核心零配件之一，但其更新?lián)Q代頻率明顯偏慢。
內存不僅比CPU、顯卡、主板換代速度慢很多，甚至比光存儲及顯示器都要滯后。 在內存的發(fā)展史上，早期EDO、SDRAM、DDR等規格每一代產(chǎn)品大約都流行了3-5年時(shí)間。
目前主流內存規格早已經(jīng)過(guò)渡到DDR2，而普及時(shí)間也超過(guò)3年以上了，其頻率從DDR2-400一路攀升至DDR2-1200，甚至更高。正當人們逐漸厭倦DDR2內存的頻率大戰后，2006年國際JEDEC組織正式公布了下一代內存規格——DDR3。
DDR3內存是基于DDR2內存衍生出來(lái)的新產(chǎn)品，擁有諸多優(yōu)點(diǎn)，如：頻率更高、功耗更低、穩定性更好。 當然，有優(yōu)勢就伴隨著(zhù)劣勢，目前DDR3內存主要的劣勢在于：成本居高不下、不與DDR2兼容、高延遲仍沒(méi)有得到有效解決。
從本質(zhì)上來(lái)講，DDR3內存并非是一款嚴格意義上的全新產(chǎn)品，它是在優(yōu)化了DDR2內存某些特性后的產(chǎn)物，就像是汽車(chē)界的“改款車(chē)”一樣，實(shí)質(zhì)上并沒(méi)有發(fā)生大的變化。 DDR3內存芯片不僅仍使用成熟的FBGA封裝工藝，而且就連基礎電路設計和制作工藝上也與上代DDR2相差不多，因此DDR3內存仍是DDR家族的一個(gè)延續者。
如今，搭載著(zhù)英特爾P35芯片組的主板已經(jīng)相繼鋪貨，DDR3內存也終于盼到普及的曙光，今天筆者就來(lái)深入分析一下《DDR3內存何時(shí)步入主流？》這個(gè)話(huà)題。 在話(huà)題開(kāi)始前，筆者首先給大家介紹一下DDR3內存的優(yōu)缺點(diǎn)，以方便讀者理解DDR3內存的特性。
首先從工作頻率上來(lái)看，DDR3可以在800MHz至1666MHz下運行，當然今后也不排除更高頻率的產(chǎn)品誕生，而DDR2是在533MHz至1200MHz下運行。 通常，DDR3是DDR2頻率的兩倍，它通過(guò)削減一半讀寫(xiě)時(shí)間給系統帶來(lái)操作性能提高。
在設計功耗方面，DDR3內存相比DDR2內存可以節約16%的電能。這因為新一代DDR3內存的工作電壓是在1。
5V下，而DDR2內存則是在1。8V電壓下工作，這樣可以彌補由于過(guò)多的操作頻率所產(chǎn)生的高電能消耗。
同時(shí)，減少的能量消耗可以延長(cháng)產(chǎn)品的平均使用壽命。 在特色技術(shù)方面，DDR3內存BANK增加到了8個(gè)，相對于DDR2來(lái)說(shuō)整整提高了一倍。
因此，同頻率條件下，DDR3內存相比DDR2內存預讀取能力可以提高55%的效率，是DDR2標準的兩倍之多。 首先是用戶(hù)最關(guān)心的價(jià)格問(wèn)題，目前主流1GB DDR2-667內存平均價(jià)格在310元左右，而1GB DDR3-1333內存價(jià)格則在1600左右，兩者之間相差了5倍之多，試問(wèn)有誰(shuí)會(huì )在現在購買(mǎi)DDR3呢？ 其次就是DDR3內存的超前性，雖然目前市場(chǎng)上已經(jīng)開(kāi)始有支持DDR3內存的主板銷(xiāo)售（例如P35主板已經(jīng)可以很好支持DDR3內存），但是由于剛上市的新品主板價(jià)格不菲，所以造成了用戶(hù)整體平臺投資過(guò)大。
此外，DDR2內存和DDR3內存互不兼容也大大制約了它的發(fā)展。 最后就是DDR3依然存在高延遲的老毛病，就拿常規1GB DDR3-1066內存為例，標準延遲參數為CL=7，而很多DDR3-1333的延遲值甚至達到了10個(gè)周期以上。
所謂內存的延遲，通俗地講就是內存與CPU、總線(xiàn)發(fā)生數據交換前，系統等待內存響應的這個(gè)時(shí)間，這個(gè)值越小越好 DDR3內存要取代DDR2內存成為市場(chǎng)主流，還需要多方的共同努力，時(shí)間至少要等到2009年。 目前DDR3內存仍以DDR3-1066和DDR3-1333兩種規格為主流，更高頻率DDR3內存在短期內實(shí)現量產(chǎn)還有一定困難，出貨量也非常微小，而且價(jià)格過(guò)于高昂，甚至接近DDR2內存的10倍。
現在DDR2內存制造工藝已經(jīng)相當成熟，價(jià)格也非常便宜，因此其主流地位短期內還無(wú)法撼動(dòng)，未來(lái)會(huì )有很長(cháng)一段時(shí)間出現DDR2和DDR3內存并存的現象。 大廠(chǎng)商早已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)DDR3內存，因為這個(gè)是內存的發(fā)展趨勢，就像DDR2取代DDR一樣，只是個(gè)時(shí)間問(wèn)題。
DDR3的推廣也要看業(yè)界各廠(chǎng)商態(tài)度，因為最近芯片公司都在賠錢(qián)，他們很不愿意去投產(chǎn)DDR3內存。其次就是看市場(chǎng)的供求關(guān)系，我相信明年DDR3會(huì )得到很好普及。
對于大部分專(zhuān)業(yè)內存廠(chǎng)商來(lái)講，技術(shù)絕對不是DDR3內存普及的難點(diǎn)。我們可以在很短的時(shí)間內，轉型到生產(chǎn)DDR3內存。
對于主板芯片廠(chǎng)商來(lái)講，雖然目前只有英特爾推出了支持DDR3內存的芯片組，但之前已經(jīng)與多家內存廠(chǎng)商達成協(xié)議，共同來(lái)推廣DDR3架構內存。 從目前大趨勢來(lái)看，晶圓及模組廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始儲備DDR3內存，DDR2架構內存逐漸開(kāi)始減產(chǎn)。
這就意味著(zhù)，DDR3內存產(chǎn)能提高后，價(jià)格會(huì )越來(lái)越低，同時(shí)DDR2內存價(jià)格會(huì )逐漸失去價(jià)格優(yōu)勢。我們預計，DDR3-1066內存將成為2008年市場(chǎng)中的主流產(chǎn)品。
對于DDR3內存來(lái)說(shuō)，因為早期產(chǎn)量和需求都十分有限，主要是根據用戶(hù)的需求進(jìn)行小批量接單生產(chǎn)，因此其價(jià)格會(huì )在至少6個(gè)月內維持在高位。而到年底之后，隨著(zhù)內存需求的增加，DDR3的價(jià)格將開(kāi)始下降。
另外，內存生產(chǎn)即將從90nm工藝過(guò)渡到70nm工藝。 在新制程下，相同的晶圓可以生產(chǎn)出更多的內存顆粒，因此成本會(huì )有顯著(zhù)降低，價(jià)格也會(huì )隨之下降。
預計，2009年DDR3內存有可能會(huì )成為市場(chǎng)主流。 DDR3勢必代替DDR2成為內存市場(chǎng)新霸主。
目前DDR3內存的普及問(wèn)題主要是價(jià)格因素，不過(guò)從廠(chǎng)商的態(tài)度來(lái)看。
6.哪位高手可以詳細介紹下DDR3顯卡的特點(diǎn)以及優(yōu)勢及各方面特點(diǎn) 快些
針對Intel新型芯片的一代內存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時(shí)間較長(cháng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。
(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠(chǎng)商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
7.什么是DDR3
針對Intel新型芯片的一代內存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時(shí)間較長(cháng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。
(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2,DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠(chǎng)商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
