石墨烯的合成方法主要有兩種:物理方法和化學(xué)方法。物理方法是從具有高晶格完備性的石墨或者類(lèi)似的材料來(lái)獲得,獲得的石墨烯都在80nm以上.而化學(xué)方法是通過(guò)小分子的合成或溶液分離的方法制備的,得到的石墨烯尺寸在10nm以下. 其中物理方法包括:機械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法、爆炸法; 化學(xué)方法包括石墨插層法、熱膨脹剝離法、電化學(xué)法、化學(xué)氣相沉積法、氧化石墨還原法、球磨法。
微機械分離法
最普通的是微機械分離法,直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來(lái)。2004年Novoselovt等用這種方法制備出了單層石墨烯,并可以在外界環(huán)境下穩定存在。典型制備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦,體相石墨的表面會(huì )產(chǎn)生絮片狀的晶體,在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。但缺點(diǎn)是此法是利用摩擦石墨表面獲得的薄片來(lái)篩選出單層的石墨烯薄片,其尺寸不易控制,無(wú)法可靠地制造長(cháng)度足供應用的石墨薄片樣本。
取向附生法—晶膜生長(cháng)
取向附生法
是利用生長(cháng)基質(zhì)原子結構“種”出石墨烯,首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕,然后冷卻,冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會(huì )浮到釕表面,鏡片形狀的單層的碳原子“ 孤島” 布滿(mǎn)了整個(gè)基質(zhì)表面,最終它們可長(cháng)成完整的一層石 墨烯。第一層覆蓋 8 0 %后,第二層開(kāi)始生長(cháng)。底層的石墨烯會(huì )與釕產(chǎn)生強烈的交互作用,而第二層后就幾乎與釕完全分離,只剩下弱電耦合,得到的單層石墨烯薄片表現令人滿(mǎn)意。但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻,且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會(huì )影 響碳層的特性。另外Peter W.Sutter 等使用的基質(zhì)是稀有金屬釕。
加熱 SiC法
該法是通過(guò)加熱單晶6H-SiC脫除Si,在單晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。具體過(guò)程是:將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過(guò)電子轟擊加熱,除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后,將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃后恒溫1min~20min,從而形成極薄的石墨層,經(jīng)過(guò)幾年的探索,Berger等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定,制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。 包信和等開(kāi)發(fā)了一條以商品化碳化硅顆粒為原料,通過(guò)高溫裂解規模制備高品質(zhì)無(wú)支持(Free standing)石墨烯材料的新途徑。通過(guò)對原料碳化硅粒子、裂解溫度、速率以及氣氛的控制,可以實(shí)現對石墨烯結構和尺寸的調控。這是一種非常新穎、對實(shí)現石墨烯的實(shí)際應用非常重要的制備方法。
石墨插層法
石墨插層法是以天然鱗片石墨為原料,將插入物質(zhì)與石墨混合反應得到的。插入物質(zhì)使石墨層間的作用力削弱。通過(guò)進(jìn)一步的超聲和離心處理便可得到石墨烯片。此方法制備出的石墨片,其厚度一般最小只能達到幾十納米,而且加入的強酸強堿等插層物質(zhì)會(huì )破壞石墨烯的SP2結構,導致它的物理和化學(xué)性能受到影響。
熱膨脹剝離法
Schniepp等首先采用Staudenmaier方法制備得到氧化石墨,然后在密閉的石英管中,用氬氣保護,迅速加熱(大于2000度/分鐘)到1050度,維持30秒,氧化石墨上的環(huán)氧羥基等分解產(chǎn)生CO2,它進(jìn)入片層間隙中使片層剝離,制得石墨烯.這樣獲得的石墨烯片層大都會(huì )褶皺和變形.
化學(xué)還原法
化學(xué)還原法是將氧化石墨與水以1 mg/mL的 比例混合, 用超聲波振蕩至溶液清晰無(wú)顆粒狀物質(zhì),加入適量肼在1 0 0℃回流2 4 h ,產(chǎn)生黑色顆粒狀沉淀,過(guò)濾、烘干即得石墨烯。Sasha Stankovich 等利用化學(xué)分散法制得厚度為1 nm左右的石墨烯。[3]
化學(xué)解理法
化學(xué)解理法是將氧化石墨通過(guò)熱還原的方法制備石墨烯的方法,氧化石墨層間的含氧官能團在一定溫度下發(fā)生反應,迅速放出氣體,使得氧化石墨層被還原的同時(shí)解理開(kāi),得到石墨烯。這是一種重要的制備石墨烯的方法,天津大學(xué)楊全紅等用低溫化學(xué)解理氧化石墨的方法制備了高質(zhì)量的石墨烯。
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