mos測試需要了解哪些(mos認證考試主要考些什么)
1.mos認證考試主要考些什么
1、MOS都是在線(xiàn)考試，需要到MOS指定的考點(diǎn)進(jìn)行考試。
MOS采取隨報隨考的方式，報名時(shí)可以選定考試時(shí)間。 2、在線(xiàn)考試的過(guò)程中如果出現網(wǎng)絡(luò )或機器問(wèn)題造成無(wú)法進(jìn)行考試，可以立即聯(lián)系監考老師，服務(wù)器上會(huì )記錄你已經(jīng)答完的試題，重啟機器或換機器可以繼續考試。
3、Mos 專(zhuān)業(yè)級Specialist（初級）包括Word Specialist、Excel Specialist、PowerPoint Specialist、Access Specialist、Outlook Specialist共五門(mén)。題型全部是實(shí)際操作題，與教材上題型相同。
常見(jiàn)題目如下：文檔中插入圖形、設置共享、制作宏、郵件合并等等，題目不是很難，只要認真地將教材上的全部習題做完，一定可以通過(guò)考試。
2.MOS管到底怎么測
對于一只型號標示不清或無(wú)標志的三極管，要想分辨出它們的三個(gè)電極，也可用萬(wàn)用表測試。
先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)撥在R*100或R*1k電阻擋上。紅表筆任意接觸三極管的一個(gè)電極，黑表筆依次接觸另外兩個(gè)電極，分別測量它們之間的電阻值，若測出均為幾百歐低電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電極為基極b，此管為PNP管。
若測出均為幾十至上百千歐的高電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電極也為基極b，此管為NPN管。 在判別出管型和基極b的基礎上，利用三極管正向電流放大系數比反向電流放大系數大的原理確定集電極。
任意假定一個(gè)電極為c極，另一個(gè)電極為e極。將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)撥在R*1k電阻擋上。
對于：PNP管，令紅表筆接c極，黑表筆接e極，再用手同時(shí)捏一下管子的b、c極，但不能使b、c兩極直接相碰，測出某一阻值。然后兩表筆對調進(jìn)行第二次測量，將兩次測的電阻相比較，對于：PNP型管，阻值小的一次，紅表筆所接的電極為集電極。
對于NPN型管阻值小的一次，黑表筆所接的電極為集電極！ 查看原帖>>。
3.MOS管用數字萬(wàn)用表怎么測其好壞及引腳
用數字萬(wàn)用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應管為例。
一、先確定MOS管的引腳：1、先對MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；1、首先找出場(chǎng)效應管的D極（漏極）。對于TO-252、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應管，它們的散熱片在內部是與管子的D極相連的，故我們可用數字萬(wàn)用表的二極管檔測量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連，哪個(gè)引腳就是D極。
2、找到D極后，將萬(wàn)用表調至二極管檔；3、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。
二、MOS管好壞的測量：1、當把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測出來(lái)這個(gè)導通壓降，一般在0.5 V左右為正常；2、G腳測量，需要先對G極充下電，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；3、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測出來(lái)這個(gè)放大壓降，一般在0.3 V左右為正常；擴展資料 MOS管的主要參數1、開(kāi)啟電壓VT 開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導電溝道所需的柵極電壓；標準的N溝道MOS管，VT約為3~6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2~3V。2、直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示 MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
3.、漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；（2）漏源極間的穿通擊穿；有些MOS管中，其溝道長(cháng)度較短，不斷增加VDS會(huì )使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長(cháng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達漏區，產(chǎn)生大的ID。4、柵源擊穿電壓BVGS 在增加柵源電壓過(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
5、低頻跨導gm 在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導；gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數 一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內6、導通電阻RON 導通電阻RON說(shuō)明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數 在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間 由于在數字電路中 ，MOS管導通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似 ·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以?xún)?、極間電容 三個(gè)電極之間都存在著(zhù)極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS CGS和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間8、低頻噪聲系數NF 噪聲是由管子內部載流子運動(dòng)的不規則性所引起的。·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號輸人時(shí)，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化 噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）。
這個(gè)數值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數 場(chǎng)效應管的噪聲系數約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小。
