存儲器編制方法(存儲器分類(lèi)方法)
1.存儲器有哪些分類(lèi)方法
按存儲介質(zhì)
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
按存儲方式
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時(shí)間和存儲單元的物理位置無(wú)關(guān)。
順序存儲器：只能按某種順序來(lái)存取，存取時(shí)間和存儲單元的物理位置有關(guān)。
按讀寫(xiě)功能
只讀存儲器（ROM）：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫(xiě)入的半導體存儲器。
隨機讀寫(xiě)存儲器（RAM）：既能讀出又能寫(xiě)入的半導體存儲器。
按信息保存性
非永久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。
按用途
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。
為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，通常采用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。
2.ARMTTDMI采用何種存儲器編制方式
ARM7微處理器系列 ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結構，三級流水線(xiàn)，平均功耗為0.6mW/MHz，時(shí)鐘速度為66MHz，最適合用于對價(jià)位和功耗要求較高的消費類(lèi)應用。
ARM7微處理器系列包括如下幾種類(lèi)型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內帶Cache的ARM核。ARM7主要應用領(lǐng)域為：工業(yè)控制、Internet設備、網(wǎng)絡(luò )和調制解調器設備、移動(dòng)電話(huà)等多種多媒體和嵌入式應用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴展組合在一起，以減少內存容量和系統成本。同時(shí)，它還利用嵌入式ICE調試技術(shù)來(lái)簡(jiǎn)化系統設計，并用一個(gè)DSP增強擴展來(lái)改進(jìn)性能。
該產(chǎn)品的典型用途是數字蜂窩電話(huà)和硬盤(pán)驅動(dòng)器。 提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個(gè)重要區別在于后者有存儲空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內緩存（提高CPU性能），前者不支持實(shí)時(shí)操作系統RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE。
3.ARMTTDMI采用何種存儲器編制方式
ARM7微處理器系列
ARM7微處理器系列為低功耗的32位RISC處理器，采用ARMV4T(Newman)結構，三級流水線(xiàn)，平均功耗為0.6mW/MHz，時(shí)鐘速度為66MHz，最適合用于對價(jià)位和功耗要求較高的消費類(lèi)應用。ARM7微處理器系列包括如下幾種類(lèi)型的核：ARMTTDMI、ARMTTDMI-S、ARM720T、ARMTEJ，其中的ARM7 1 0、ARM720和ARM740為內帶Cache的ARM核。ARM7主要應用領(lǐng)域為：工業(yè)控制、Internet設備、網(wǎng)絡(luò )和調制解調器設備、移動(dòng)電話(huà)等多種多媒體和嵌入式應用。
ARMTTDMI是目前使用最廣泛的32位嵌入式RISC處理器，具有每瓦產(chǎn)生690MIPS的高性能低功耗能力，它將ARM7指令集同Thumb擴展組合在一起，以減少內存容量和系統成本。同時(shí)，它還利用嵌入式ICE調試技術(shù)來(lái)簡(jiǎn)化系統設計，并用一個(gè)DSP增強擴展來(lái)改進(jìn)性能。該產(chǎn)品的典型用途是數字蜂窩電話(huà)和硬盤(pán)驅動(dòng)器。
提示：ARMTTDMI與ARM720T的一個(gè)重要區別在于后者有存儲空間管理單元（MMU）和8KB Cache片內緩存（提高CPU性能），前者不支持實(shí)時(shí)操作系統RTOS，但μCLinux/ARM Linux等不需要MMU支持，而后者可用于RTLinux、Windows CE
4.存儲器的存儲形式有哪些
c的char數據屬于基本類(lèi)型，基本類(lèi)型其中還包括-整型，實(shí)型，枚舉類(lèi)型！ 數據在內存中是以二進(jìn)制形式存放的。
數值是以補碼表示的。 整型： 一個(gè)正數的補碼和其原碼的形式相同。
而負數的補碼方式是將其絕對值的二進(jìn)制形式“按位求反再加1” 實(shí)型： 在內存中占4個(gè)字節，是按照指數形式存儲的，實(shí)型數據分為小數部分和指數部分，分別存放！計算機用二進(jìn)制表示小數部分，用2的冪次來(lái)表示指數部分！ 字符型： 在內存中字符的存儲實(shí)際上是把字符相對應的ASCII代碼放到存儲單元中的。而這些ASCII代碼值在計算機中也是以二進(jìn)制形式存放的。
這個(gè)與整型的存儲很相似。因此這兩類(lèi)之間的轉換也比較方便。
5.在存儲器系統中,有哪些實(shí)現片選控制的方法
這個(gè)問(wèn)題比較專(zhuān)業(yè)，非計算機科班出身是不能解決的！~~ 這個(gè)是計算機原理里面的科目~
要點(diǎn)：存儲器系統中，實(shí)現片選控制的方法如下：
(1)全譯碼法：微處理器全部地址都參與譯碼，如8086微處理器地址線(xiàn)A19-A0，因此對應于存儲器芯片中的任意單元都侖惟—的確定地址，不出現地址重疊。
(2)部分譯碼法：微處理器的地址低位部分作為片內地址，部分的高位地址經(jīng)譯碼器后作為片選控制信號，還有部分高位地址空留沒(méi)用，這種譯碼方式稱(chēng)為部分譯碼法。這種方法有地址重疊。
(3)線(xiàn)選法：在微型計算機系統中，若存儲容量較小.而且以后也不進(jìn)行系統存儲容量的擴充，片選控制電路可由幾片小規模集成電路芯片組成；再用剩余地址線(xiàn)中的某一條或兩條作為控制信號線(xiàn)以便選擇不同的芯片。這種方法仍產(chǎn)生地址重疊。
6.存儲器技術(shù)指標有哪四種
存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩定狀態(tài)的物理器件來(lái)表示二進(jìn)制數碼 “0”和“1”，這種器件稱(chēng)為記憶元件或記憶單元。
記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。 位（bit）是二進(jìn)制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進(jìn)制數稱(chēng)為一 個(gè)字節（Byte），可以由一個(gè)字節或若干個(gè)字節組成一個(gè)字（Word）在PC機中一般認為1個(gè)或2個(gè)字節組成一個(gè)字。
若干個(gè)憶記單元組成一個(gè)存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個(gè) 存儲體（MemoryBank）。為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進(jìn)行編號，稱(chēng)為地址。
地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內容完全是兩 回事。
根據存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱(chēng)主存儲器或內存儲器。
在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個(gè)存儲單元的內容可通過(guò)指令隨機讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)的存儲器稱(chēng)為隨機存取存儲器（RAM）。
另一種存儲器叫只讀存儲器（ROM），里面存放一次性寫(xiě)入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
RAM中存取的數據掉電后就會(huì )丟失，而掉電后ROM中 的數據可保持不變。因為結構、價(jià)格原因，主存儲器的容量受限。
為滿(mǎn)足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱(chēng)外存儲器，如磁盤(pán)、光盤(pán)等.存儲器的特性由它的技術(shù)參數來(lái)描述。 存儲容量：存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量稱(chēng)為存儲容量。
一般主存儲器（內存）容量在幾十K到幾十M字節左右；輔助存儲器（外存）在幾百K到幾千M字節。 存取周期：存儲器的兩個(gè)基本操作為讀出與寫(xiě)入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進(jìn)行讀寫(xiě)。
存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時(shí)間間隔，稱(chēng)為取數時(shí)間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時(shí)間稱(chēng)為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時(shí)間MTBF來(lái)衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。
MTBF越長(cháng)，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價(jià)格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項內容。
性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。
因此性能/價(jià)格比是評價(jià)整個(gè)存儲器系統很重要的 指標。
7.存儲器的擴展方式哪三種
存儲器的擴展方式有字擴展、位擴展、字位同時(shí)擴展。存儲器芯片與單片機擴展連接具有共同的規律。即不論何種存儲器芯片，其引腳都呈三總線(xiàn)結構，與單片機連接都是三總線(xiàn)對接。另外，電源線(xiàn)接電源線(xiàn)，地線(xiàn)接地線(xiàn)。
目前生產(chǎn)的存儲器芯片容量有限，在字數或字長(cháng)方面與實(shí)際存儲器要求有所差距，所以要在字向與位向兩方面進(jìn)行擴充，才能滿(mǎn)足實(shí)際存儲器的要求。
cpu對存儲器進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)，首先由地址總線(xiàn)給出地址信號，然后再發(fā)出有關(guān)進(jìn)行讀操作與寫(xiě)操作的控制信號，最后在數據總線(xiàn)上進(jìn)行信息交換。
擴展資料：
存儲器的擴展技術(shù)：
總片數=總容量/（容量/片）。
例：存儲器容量為8K*8b，若選用2114芯片（1K*4b），則需要的芯片數為：（8K*8b）/(1K*4b)=16（片）。
(1)位擴展。
只在位數方向擴展（加大字長(cháng)），而芯片的字數和存儲器的字數是一致的。即b前面不一樣，K前面保持一樣。
例：用64K*1b的SRAM芯片組成64K*8b的存儲器，所需芯片數為：（64K*8b）/(64K*1b)=8（片）。
位擴展的關(guān)鍵就是將兩個(gè)存儲芯片當成一個(gè)存儲芯片來(lái)用，讓兩個(gè)存儲芯片同時(shí)工作，同時(shí)被選中，同時(shí)做讀操作，同時(shí)做寫(xiě)操作，要想保證同時(shí)，就是把兩個(gè)芯片的片選，用相同的信號進(jìn)行連接。
(2)字擴展。
僅在字數方向擴展，而位數不變。即K前面不一樣，b前面保持一樣。
例：用16K*8b的SRAM組成以64K*8b的存儲器，所需芯片數為：（64K*8b）/(16K*8b)=4（片）。
(3)字和位同時(shí)擴展。
參考資料來(lái)源：搜狗百科-位擴展
參考資料來(lái)源：搜狗百科-字擴展
