用哪些方法可以判定霍爾元件(怎樣判斷霍爾元件類(lèi)型)
1.怎樣判斷霍爾元件類(lèi)型
幾種霍爾元件的檢測
一、線(xiàn)性霍爾元件的好壞判斷
1、改變磁場(chǎng)的大小線(xiàn)性霍爾元件的好壞
將線(xiàn)性霍爾元件通電，輸出端接上電壓表，磁鐵從遠到近逐漸靠近線(xiàn)性霍爾元件時(shí)，該線(xiàn)性霍爾元件的輸出電壓逐漸從小到大變化，這說(shuō)明該線(xiàn)性霍爾元件是好的，如果磁鐵從遠到近逐漸地靠近線(xiàn)性霍爾元件，該線(xiàn)性霍爾元件的輸出電壓保持不變，這說(shuō)明該線(xiàn)性霍爾元件已被損壞。
2、改變線(xiàn)性霍爾元件恒流源的電流大小判斷線(xiàn)性霍爾元件的好壞
磁鐵保持不動(dòng)（即對線(xiàn)性霍爾元件加入一個(gè)固定不變的磁場(chǎng)），使得線(xiàn)性霍爾元件恒流源的電流從零逐漸地向額定電流變化時(shí)（不能超過(guò)線(xiàn)性霍爾元件的額定電流），這時(shí)線(xiàn)性霍爾元件的輸出電壓也從小逐漸地向大變華，這說(shuō)時(shí)該線(xiàn)性霍爾元件是好的，如果線(xiàn)性霍爾元件恒流的電流從零逐漸地向額定電流變化時(shí)，這時(shí)該線(xiàn)性霍爾元件的電壓保持不變，這說(shuō)明該線(xiàn)性霍爾元件已損壞
二、單極開(kāi)關(guān)型霍爾元件的好壞檢測
將單極開(kāi)關(guān)霍爾元件通電5V，輸出端串聯(lián)電阻，當磁鐵遠離開(kāi)關(guān)霍爾元件時(shí)，開(kāi)關(guān)霍爾元件的輸出電壓為高電平（+5V），當磁鐵靠近開(kāi)關(guān)霍樂(lè )元件時(shí)，開(kāi)關(guān)霍爾元件的輸出電壓為低電平（+0.2V左右），這說(shuō)明該開(kāi)關(guān)開(kāi)型霍爾元件是好的。如果不認靠近或離開(kāi)霍爾開(kāi)關(guān)，該霍爾開(kāi)關(guān)的輸出電平保持不變，則說(shuō)明該霍爾開(kāi)關(guān)已損壞。
我是做霍爾元件的，可以和我討論QQ86774632
三、雙極鎖存霍爾開(kāi)關(guān)元件的好壞檢測
當磁鐵N極或S極靠近霍爾開(kāi)關(guān)，輸出是高電平或低電平，然后拿還霍爾元件，電平保持不變，再用剛才相反的磁極得到與剛剛相反的電平，這時(shí)說(shuō)明霍爾元件是好的，如果當霍爾元件靠近得到的電平，在磁鐵離開(kāi)后不鎖存，說(shuō)明霍爾是壞的，當磁鐵用相反的極性靠近霍爾，得不到與另一個(gè)極性靠近霍爾所得出相反的電平，那么這個(gè)霍爾開(kāi)關(guān)也是壞的
2.如何判斷霍爾元件的類(lèi)型
霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要參數，以及判斷材料的導電類(lèi)型，是研究半導體材料的重要手段。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流并對它進(jìn)行調制、放大。用霍爾效應制作的傳感器廣泛用于磁場(chǎng)、位置、位移、轉速的測量。
霍爾電勢差是這樣產(chǎn)生的：當電流IH通過(guò)霍爾元件（假設為P型）時(shí)，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁場(chǎng)對運動(dòng)電荷產(chǎn)生一個(gè)洛淪茲力
(3-14-1)
式中q為電子電荷。洛淪茲力使電荷產(chǎn)生橫向的偏轉，由于樣品有邊界，所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來(lái)，產(chǎn)生一個(gè)橫向電場(chǎng)E，直到電場(chǎng)對載流子的作用力FE=qE與磁場(chǎng)作用的洛淪茲力相抵消為止，即
(3-14-2)
這時(shí)電荷在樣品中流動(dòng)時(shí)將不再偏轉，霍爾電勢差就是由這個(gè)電場(chǎng)建立起來(lái)的。
如果是N型樣品，則橫向電場(chǎng)與前者相反，所以N型樣品和P型樣品的霍爾電勢差有不同的符號，據此可以判斷霍爾元件的導電類(lèi)型。
設P型樣品的載流子濃度為p，寬度為b，厚度為d。通過(guò)樣品電流IH=pqvbd，則空穴的速度v=IH/pqbd，代入（3-14-2）式有
(3-14-3)
上式兩邊各乘以b，便得到
(3-14-4)
稱(chēng)為霍爾系數。在應用中一般寫(xiě)成
UH=KHIHB. （。霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要參數，以及判斷材料的導電類(lèi)型，是研究半導體材料的重要手段。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流并對它進(jìn)行調制、放大。用霍爾效應制作的傳感器廣泛用于磁場(chǎng)、位置、位移、轉速的測量。
霍爾電勢差是這樣產(chǎn)生的：當電流IH通過(guò)霍爾元件（假設為P型）時(shí)，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁場(chǎng)對運動(dòng)電荷產(chǎn)生一個(gè)洛淪茲力
(3-14-1)
式中q為電子電荷。洛淪茲力使電荷產(chǎn)生橫向的偏轉，由于樣品有邊界，所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來(lái)，產(chǎn)生一個(gè)橫向電場(chǎng)E，直到電場(chǎng)對載流子的作用力FE=qE與磁場(chǎng)作用的洛淪茲力相抵消為止，即
(3-14-2)
這時(shí)電荷在樣品中流動(dòng)時(shí)將不再偏轉，霍爾電勢差就是由這個(gè)電場(chǎng)建立起來(lái)的。
如果是N型樣品，則橫向電場(chǎng)與前者相反，所以N型樣品和P型樣品的霍爾電勢差有不同的符號，據此可以判斷霍爾元件的導電類(lèi)型。
設P型樣品的載流子濃度為p，寬度為b，厚度為d。通過(guò)樣品電流IH=pqvbd，則空穴的速度v=IH/pqbd，代入（3-14-2）式有
(3-14-3)
上式兩邊各乘以b，便得到
(3-14-4)
稱(chēng)為霍爾系數。在應用中一般寫(xiě)成
UH=KHIHB. (3-14-5)
比例系數KH=RH/d=1/pqd稱(chēng)為霍爾元件靈敏度，單位為mV/(mA·T)。一般要求KH愈大愈好。KH與載流子濃度p成反比。半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小，所以都用半導體材料作為霍爾元件。KH與片厚d成反比，所以霍爾元件都做的很薄，一般只有0.2mm厚。
由（3-14-5）式可以看出，知道了霍爾片的靈敏度KH，只要分別測出霍爾電流IH及霍爾電勢差UH就可算出磁場(chǎng)B的大小。這就是霍爾效應測磁場(chǎng)的原理。
3.怎樣判斷霍爾的好壞
給您一個(gè)簡(jiǎn)單的方法：霍爾面向自己（印章面），管腳向下，從左到右分別為：正極（開(kāi)關(guān)霍爾4.5V到24V，線(xiàn)性霍爾5V）、負極、輸岀（信號），在正極和輸出接電阻（1到10K）。在負極和輸出間接一個(gè)發(fā)光二極管（或用萬(wàn)用表測量電壓，高電平等于電源電壓低電平約等于零）。接電后用磁鐵靠近或遠離霍爾可以看到發(fā)光二極管是否發(fā)光變化。如有變化就好的，沒(méi)變化就是壞的。不知是否可以幫到你，我是歐卓做霍爾的。不明白可以給我私信。
希望幫到您！
4.如何判斷霍爾元件是否損壞
線(xiàn)性霍爾：霍爾元件通電，輸出端接上電壓表，磁鐵從遠到近逐漸靠近線(xiàn)性霍爾元件時(shí)，該線(xiàn)性霍爾元件的輸出電壓逐漸從小到大變化，這說(shuō)明該線(xiàn)性霍爾元件是好的，如果磁鐵從遠到近逐漸地靠近線(xiàn)性霍爾元件，該線(xiàn)性霍爾元件的輸出電壓保持不變，這說(shuō)明該線(xiàn)性霍爾元件已被損壞。
單極霍爾：將單極開(kāi)關(guān)霍爾元件通電5V，輸出端串聯(lián)電阻，當磁鐵遠離開(kāi)關(guān)霍爾元件時(shí)，開(kāi)關(guān)霍爾元件的輸出電壓為高電平（+5V），當磁鐵靠近（通常都是N極）開(kāi)關(guān)霍樂(lè )元件時(shí)，開(kāi)關(guān)霍爾元件的輸出電壓為低電平（+0.2V左右），這說(shuō)明該開(kāi)關(guān)開(kāi)型霍爾元件是好的。如果不認靠近或離開(kāi)霍爾開(kāi)關(guān)，該霍爾開(kāi)關(guān)的輸出電平保持不變，則說(shuō)明該霍爾開(kāi)關(guān)已損壞。
雙極霍爾：當磁鐵N極或S極靠近霍爾開(kāi)關(guān)，輸出是高電平或低電平（一般為低電平），然后拿還霍爾元件，電平變高電平，這時(shí)說(shuō)明霍爾元件是好的。如果不認靠近或離開(kāi)霍爾開(kāi)關(guān)，該霍爾開(kāi)關(guān)的輸出電平保持不變，則說(shuō)明該霍爾開(kāi)關(guān)已損壞。希望能幫到您，其他霍爾原理資料也可以到咨詢(xún)響，拇指，電，子。
